MỚI M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 cộng với HYNIX V7

                                               SSD M.2 2280 S2 NVME HG2283 cộng với Hynix V7

1. THÔNG SỐ SẢN PHẨM

Dung tích

− 128GB, 256GB, 512GB, 1024GB, 2048GB

− Hỗ trợ chế độ định địa chỉ bit 32-

Giao diện điện/vật lý

- Giao diện PCIe

− Tương thích với NVMe 1.3

− Cơ sở PCIe Express Phiên bản 3.1

− Làn PCIe Gen 3 x 4 & tương thích ngược với PCIe Gen 2 và Gen 1

− Hỗ trợ tối đa QĐ 128 với độ sâu hàng đợi lên tới 64K

– Hỗ trợ quản lý điện năng

Hỗ trợ NAND Flash

− Hỗ trợ tới 16 Flash Chip Enables (CE) trong một thiết kế

− Hỗ trợ tối đa 4 đèn flash BGA132

− Hỗ trợ 8-bit I/O NAND Flash

− Hỗ trợ giao diện Toggle2.0, Toggle3.0, ONFI 2.3, ONFI 3.0, ONFI 3.2 và ONFI 4.0

Samsung V6 3D NAND

Hynix V7 3D NAND

Chương trình ECC

− SSD HG2283 PCIe áp dụng LDPC của thuật toán ECC.

Hỗ trợ quy mô ngành

   − 512B

- 4KB

UART/GPIO

Hỗ trợ các lệnh SMART và TRIM

Phạm vi LBA

− Tiêu chuẩn IDEMA

Hiệu suất                 

Hiệu suất của HG2283 cộng với Hynix V7 (1200Mbps)

GHI CHÚ:

1. Hiệu suất dựa trên đèn flash Hynix V7 TLC NAND.

SỰ TIÊU THỤ NĂNG LƯỢNG

GHI CHÚ:

1. Dữ liệu được đo dựa trên Hynix V7 512Gb mono die TLC Flash.

2. Mức tiêu thụ điện năng được đo trong các hoạt động đọc và ghi tuần tự do IOMeter thực hiện.

Quản lý Flash

1.4.1. Mã sửa lỗi (ECC)

Các ô nhớ flash sẽ xuống cấp khi sử dụng, điều này có thể tạo ra các lỗi bit ngẫu nhiên trong dữ liệu được lưu trữ. Do đó, SSD PCIe HG2283 áp dụng thuật toán LDPC (Kiểm tra chẵn lẻ mật độ thấp) của thuật toán ECC, có thể phát hiện và sửa lỗi xảy ra trong quá trình đọc, đảm bảo dữ liệu được đọc chính xác cũng như bảo vệ dữ liệu khỏi bị hỏng.

1.4.2. San lấp mặt bằng

Các thiết bị flash NAND chỉ có thể trải qua một số chu kỳ chương trình/xóa hạn chế, khi phương tiện flash không được sử dụng đồng đều, một số khối được cập nhật thường xuyên hơn các khối khác và tuổi thọ của thiết bị sẽ giảm đáng kể. Do đó, cân bằng hao mòn được áp dụng để kéo dài tuổi thọ của đèn flash NAND bằng cách phân phối đồng đều các chu kỳ ghi và xóa trên phương tiện.

HosinGlobal cung cấp thuật toán cân bằng hao mòn tiên tiến, thuật toán này có thể phân bổ hiệu quả việc sử dụng đèn flash trên toàn bộ khu vực phương tiện flash. Ngoài ra, bằng cách triển khai cả thuật toán cân bằng hao mòn động và tĩnh, tuổi thọ của đèn flash NAND được cải thiện rất nhiều.

1.4.3. Quản lý khối xấu

Khối xấu là khối không hoạt động đúng chức năng hoặc chứa nhiều bit không hợp lệ khiến dữ liệu lưu trữ không ổn định và không đảm bảo độ tin cậy. Các khối được nhà sản xuất xác định và đánh dấu là xấu được gọi là "Khối xấu sớm". Các khối xấu được phát triển trong suốt vòng đời của đèn flash được đặt tên là "Các khối xấu sau này". HosinGlobal triển khai thuật toán quản lý khối xấu hiệu quả để phát hiện các khối xấu do nhà máy sản xuất và quản lý các khối xấu xuất hiện khi sử dụng. Thực tiễn này ngăn dữ liệu được lưu trữ vào các khối xấu và cải thiện hơn nữa độ tin cậy của dữ liệu.

1.4.4. TRIM

TRIM là một tính năng giúp cải thiện hiệu suất đọc/ghi và tốc độ của ổ cứng thể rắn (SSD). Không giống như ổ đĩa cứng (HDD), SSD không thể ghi đè lên dữ liệu hiện có, do đó, dung lượng khả dụng sẽ dần trở nên nhỏ hơn sau mỗi lần sử dụng. Với lệnh TRIM, hệ điều hành có thể thông báo cho SSD để các khối dữ liệu không còn được sử dụng có thể bị xóa vĩnh viễn. Do đó, SSD sẽ thực hiện hành động xóa, giúp ngăn dữ liệu không sử dụng chiếm các khối mọi lúc.

1.4.5. THÔNG MINH

SMART, từ viết tắt của Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology, là một tiêu chuẩn mở cho phép ổ đĩa thể rắn tự động phát hiện tình trạng của nó và báo cáo các lỗi tiềm ẩn. Khi SMART ghi lại lỗi, người dùng có thể chọn thay thế ổ đĩa để tránh mất dữ liệu hoặc mất dữ liệu đột xuất. Hơn nữa, SMART có thể thông báo cho người dùng các lỗi sắp xảy ra trong khi vẫn còn thời gian để thực hiện các hành động chủ động, chẳng hạn như lưu dữ liệu vào một thiết bị khác.

1.4.6. Cung cấp quá mức

Cung cấp vượt mức đề cập đến việc duy trì vùng bổ sung vượt quá khả năng của người dùng trong SSD, vùng này không hiển thị với người dùng và họ không thể sử dụng được. Tuy nhiên, nó cho phép bộ điều khiển SSD sử dụng không gian bổ sung để có hiệu suất và WAF tốt hơn. Với Cung cấp vượt mức, hiệu suất và IOPS (Hoạt động đầu vào/đầu ra mỗi giây) được cải thiện bằng cách cung cấp thêm không gian cho bộ điều khiển để quản lý các chu kỳ P/E, điều này cũng giúp tăng cường độ tin cậy và độ bền. Hơn nữa, khả năng khuếch đại ghi của SSD trở nên thấp hơn khi

bộ điều khiển ghi dữ liệu vào đèn flash.

1.4.7. Nâng cấp chương trình cơ sở

Phần sụn có thể được coi là một bộ hướng dẫn về cách thiết bị giao tiếp với máy chủ. Chương trình cơ sở sẽ có thể nâng cấp khi các tính năng mới được thêm vào, các sự cố tương thích được khắc phục hoặc hiệu suất đọc/ghi được cải thiện.

1.4.8. điều tiết nhiệt

Mục đích của điều tiết nhiệt là để ngăn không cho bất kỳ thành phần nào trong SSD quá nóng trong quá trình đọc và ghi. HG2283 được thiết kế với cảm biến nhiệt tích hợp và độ chính xác của nó; phần sụn có thể áp dụng các mức điều tiết khác nhau để đạt được mục đích bảo vệ một cách hiệu quả và chủ động thông qua đọc SMART.

1.5. Tính năng bảo mật thiết bị nâng cao

1.5.1. Xóa an toàn

Xóa an toàn là một lệnh định dạng NVMe tiêu chuẩn và sẽ ghi tất cả "0x00" để xóa hoàn toàn tất cả dữ liệu trên ổ đĩa cứng và SSD. Khi lệnh này được đưa ra, bộ điều khiển SSD sẽ xóa các khối lưu trữ của nó và trở về cài đặt mặc định ban đầu.

1.5.2. Xóa tiền điện tử

Xóa tiền điện tử là tính năng xóa tất cả dữ liệu của ổ SSD được kích hoạt bằng OPAL hoặc ổ đĩa "SED" (Đĩa hỗ trợ bảo mật) bằng cách đặt lại khóa mật mã của đĩa. Vì khóa được sửa đổi, dữ liệu được mã hóa trước đó sẽ trở nên vô dụng, đạt được mục đích bảo mật dữ liệu.

1.5.3. SID hiện diện vật lý (PSID)

SID Hiện diện Vật lý (PSID) được TCG OPAL xác định là một chuỗi ký tự 32-và mục đích là hoàn nguyên SSD về cài đặt sản xuất khi ổ vẫn được kích hoạt bằng OPAL. Mã PSID có thể được in trên nhãn SSD khi SSD kích hoạt OPAL hỗ trợ tính năng hoàn nguyên PSID.

1.6. Quản lý trọn đời SSD

1.6.1. Terabyte được viết (TBW)

TBW (Terabyte được viết) là phép đo tuổi thọ dự kiến ​​của SSD, đại diện cho lượng dữ liệu

ghi vào thiết bị. Để tính TBW của SSD, phương trình sau được áp dụng:

TBW = [(Độ bền NAND) x (Dung lượng SSD)] / [WAF]

Độ bền NAND: Độ bền của NAND đề cập đến chu kỳ P/E (Lập trình/Xóa) của đèn flash NAND.

Dung lượng SSD: Dung lượng SSD là dung lượng cụ thể trong tổng số của một ổ SSD.

WAF: Hệ số khuếch đại ghi (WAF) là một giá trị số thể hiện tỷ lệ giữa lượng dữ liệu mà bộ điều khiển SSD cần ghi và lượng dữ liệu mà bộ điều khiển flash của máy chủ lưu trữ ghi. WAF tốt hơn, gần bằng 1, đảm bảo độ bền tốt hơn và tần suất ghi dữ liệu vào bộ nhớ flash thấp hơn.

TBW trong tài liệu này dựa trên khối lượng công việc JEDEC 218/219.

1.6.2. Chỉ số hao mòn phương tiện truyền thông

Chỉ số tuổi thọ thực tế được báo cáo bởi SMART Chỉ số byte thuộc tính [5], Tỷ lệ phần trăm được sử dụng, khuyến nghị Người dùng thay thế ổ đĩa khi đạt đến 100 phần trăm.

1.6.3. Chế độ chỉ đọc (Kết thúc vòng đời)

Khi ổ đĩa bị lão hóa do các chu kỳ xóa/chương trình tích lũy, phương tiện bị hao mòn có thể làm tăng số lượng khối bị lỗi sau này. Khi số lượng khối tốt có thể sử dụng nằm ngoài phạm vi có thể sử dụng được xác định, ổ đĩa sẽ thông báo cho Máy chủ thông qua sự kiện AER và Cảnh báo quan trọng để vào Chế độ chỉ đọc nhằm ngăn chặn việc hỏng thêm dữ liệu. Người dùng nên bắt đầu thay ổ đĩa khác ngay lập tức.

1.7. Phương pháp tiếp cận thích ứng để điều chỉnh hiệu suất

1.7.1. Thông lượng

Dựa trên dung lượng còn trống của đĩa, HG2283 sẽ điều chỉnh tốc độ đọc/ghi và quản lý hiệu suất của thông lượng. Khi vẫn còn nhiều dung lượng, phần sụn sẽ liên tục thực hiện hành động đọc/ghi. Vẫn không cần thực hiện thu gom rác để phân bổ và giải phóng bộ nhớ, điều này sẽ tăng tốc quá trình đọc/ghi để cải thiện hiệu suất. Ngược lại, khi dung lượng sắp được sử dụng hết, HG2283 sẽ làm chậm quá trình xử lý đọc/ghi và thực hiện thu gom rác để giải phóng bộ nhớ. Do đó, hiệu suất đọc/ghi sẽ trở nên chậm hơn.

1.7.2. Dự đoán & Tìm nạp

Thông thường, khi Máy chủ cố gắng đọc dữ liệu từ SSD PCIe, SSD PCIe sẽ chỉ thực hiện một hành động đọc sau khi nhận được một lệnh. Tuy nhiên, HG2283 áp dụng Dự đoán & Tìm nạp để cải thiện tốc độ đọc. Khi máy chủ đưa ra các lệnh đọc tuần tự cho SSD PCIe, SSD PCIe sẽ tự động mong đợi rằng các lệnh sau đây cũng sẽ là các lệnh đọc. Như vậy, trước khi nhận lệnh tiếp theo, flash đã chuẩn bị sẵn dữ liệu. Theo đó, điều này giúp tăng tốc thời gian xử lý dữ liệu và máy chủ không cần phải đợi quá lâu để nhận dữ liệu.

1.7.3. Bộ nhớ đệm SLC

Thiết kế phần sụn của HG2283 hiện áp dụng bộ nhớ đệm động để mang lại hiệu suất tốt hơn nhằm mang lại trải nghiệm người dùng tốt hơn và độ bền tốt hơn.

7. KÍCH THƯỚC VẬT LÝ

Yếu tố hình thức: M.2 2280 S2

Kích thước: 80.00mm (L) x 22.00mm (W) x 2,15mm (H)

 

Xem hướng	Biểu đồ
Đứng đầu
Đáy
Xem hướng	Biểu đồ
Bên

Hình 7-1 Kích thước và sơ đồ cơ khí của sản phẩm

 

8. ỨNG DỤNG GHI CHÚ

8.1. Biện pháp phòng ngừa khi xử lý đóng gói vảy vi mạch cấp wafer (WLCSP)

Có rất nhiều thành phần được lắp ráp trên một thiết bị SSD. Vui lòng xử lý ổ đĩa một cách cẩn thận, đặc biệt là khi nó có bất kỳ thành phần WLCSP (Đóng gói quy mô chip mức wafer) nào như PMIC, cảm biến nhiệt hoặc công tắc tải. WLCSP là một trong những công nghệ đóng gói được áp dụng rộng rãi để tạo ra dấu chân nhỏ hơn, nhưng bất kỳ va chạm hoặc trầy xước nào cũng có thể làm hỏng các bộ phận siêu nhỏ đó, vì vậy bạn nên xử lý nhẹ nhàng.

 

KHÔNG THẢ SSD

LẮP ĐẶT SSD CẨN THẬN

CỬA SSD TRONG MỘT GÓI PHÙ HỢP

 

8.2. Các biện pháp phòng ngừa khi lắp ráp SSD M Key M.2

SSD M.2 M Key (Hình 1) chỉ tương thích với ổ cắm M Key (Hình 2). Như đã trình bày trong Trường hợp sử dụng 2, việc sử dụng sai có thể gây ra hư hỏng nghiêm trọng cho SSD, bao gồm cả hiện tượng cháy đĩa.

 

 

Hình 8-1 M Key M.2 Biện pháp phòng ngừa lắp ráp

 

Chú phổ biến: SSD M.2 PCIE NVME MỚI 256GB 512GB 1T 2T HG2283 plus HYNIX V7, Trung Quốc SSD M.2 PCIE NVME MỚI 256GB 512GB 1T 2T HG2283 plus HYNIX V7